Niet blij met je aankoop? Geeft niet! Je kunt artikelen tot 30 dagen retourneren
Met een cadeaubon zit je altijd goed. De ontvanger kan de cadeaubon voor alles uit ons assortiment inwisselen.
Tot 30 dagen retourrecht
The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices.§
Hoi! Ik ben Libroamiko, je boekadviseur.
Hoe kan ik je helpen?