Niet blij met je aankoop? Geeft niet! Bij ons kun je binnen 30 dagen retourneren
Met een cadeaubon zit je altijd goed. De ontvanger kan de cadeaubon voor alles uit ons assortiment inwisselen.
Retourneren binnen 30 dagen
Materials scientists, silicon technologists and TCAD researchers come together in this book to share experimental results and physical models, discuss achievements and challenges, and identify key issues for future research in this field. The volume focuses on many aspects related to doping of semiconductors (Si, SiGe and Ge) for device fabrication, and explores areas for single-gate as well as multi-gate devices with planar and vertical architectures. Surface properties, coverage, bonding saturation and passivation, and annealing ambient are also discussed.
Hoi! Ik ben Libroamiko, je boekadviseur.
Hoe kan ik je helpen?