Contact
Hoe winkelen bij ons werkt
Bezorging
Winkelgids
Engels
249 b
Retourneren binnen 30 dagen
Klanten kochten ook
This monograph is intended for scientists and TCAD engineers who are interested in physics-based simulation of Si and SiGe devices. The common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic, and Monte-Carlo models and their synergy are discussed and it is shown how these models form a consistent hierarchy of simulation tools. The basis of this hierarchy is the full-band Monte-Carlo device model which is discussed in detail, including its numerical and stochastic properties. The drift-diffusion and hydrodynamic models for large-signal, small-signal, and noise analysis are derived from the Boltzmann transport equation in such a way that all transport and noise parameters can be obtained by Monte-Carlo simulations. With this hierarchy of simulation tools the device characteristics of strained Si MOSFETs and SiGe HBTs are analysed and the accuracy of the momentum-based models is assessed by comparison with the Monte-Carlo device simulator.
Informatie over het boek
Engels
Categorieën
Geef dit boek vandaag nog cadeau
Dat gaat heel eenvoudig
1 Voeg het boek toe aan je winkelwagentje en selecteer Als cadeau bezorgen 2 Je krijgt van ons per omgaand een voucher 3 Het boek wordt bezorgd op het adres van de ontvangerDit vind je misschien ook interessant
/
Gebonden (paperback)
109.83
€
/
Gebonden (paperback)
11.91
€
/
Gebonden (paperback)
9.08
€
/
Gebonden (paperback)
26.36
€
/
Gebonden (paperback)
18.38
€
