Gratis verzending vanaf 59,99 euro.

Status van bestelling controleren

Word lid van een gemeenschap van boekenliefhebbers van over de hele wereld en krijg een heleboel voordelen. Gratis account aanmaken

Gratis bezorging met Zásilkovna boven 59.99 €

DPD koerier 5.49 € DHL koeriersdienst 5.49 € GLS koerier 4.99 € DPD-punt 3.99 €

Contact

Hoe winkelen bij ons werkt

Help

Mijn account

▸ Leeg :-(

Gratis verzending vanaf 59,99 euro.

InGaP/GaAs Heterostructure Bipolar Thansistors

Name: InGaP/GaAs Heterostructure Bipolar Thansistors
Brand: VDM Verlag
SKU: 06819059
Price: 52.46 EUR
Availability: InStock
Author: Xiu Xing
ISBN: 9783639100549

Xiu Xing

Taal

Engels

Boek Gebonden (paperback)

Libristo-code: 06819059

Uitgeverij VDM Verlag, april 2009

Small-signal modeling and microwave noise§characterization of §InGaP/GaAs HBTs will be explored. Dev... Volledige beschrijving

Libristo-code: 06819059

127 b

52.46 €

Te bestellen bij de uitgever Wordt binnen 17-27 dagen verzonden

Tot 30 dagen retourrecht

Klanten kochten ook

Handboldtips 3 Peter Schmidt

Gebonden (paperback)

29.81 €

HIP HOP FAMILY TREE T1 1970s-1981 PISKOR

binding.

31.94 €

L'aide au très jeune enfant atteint d'autisme Artuso

Gebonden (paperback)

11.72 €

Les 100 premiers jours d'une opération de fusion-acquisition BRAULT

Gebonden (paperback)

52.15 €

Les dix petits negres d'Agatha Christie (Fiche de lecture) Fichesdelecture. Com

Gebonden (paperback)

13.54 €

Die lokale Gewebsverbrennung Burkhard Helpap

Gebonden (paperback)

53.06 €

Charité. Staffel.2, 2 DVD Anno Saul

Dvd

23.04 €

La industria de la televisión en España entre 2008 y 2016 José Patricio Pérez Rufí

Gebonden (paperback)

29.41 €

Metodo de proteccion contra descargas atmosfericas en Domo Geodesico Julio Rene Alfonso Segura

Gebonden (paperback)

32.04 €

Small-signal modeling and microwave noise§characterization of §InGaP/GaAs HBTs will be explored. Device physics,§analytical §extraction and numerical optimization are§incorporated to extract §small-signal equivalent circuit parameters (ECPs),§improved by §modeling interaction between contact metalizations§and hybrid §optimization of T and Pi circuit topologies.§Excellent agreement §between measured and modeled S-parameters, with limited §deviation of optimized ECPs from their initial§values, is obtained up §to 40 GHz for a wide range of bias. Combined with NF50 §measurement, frequency- and bias-dependent noise§parameters §(NPs) up to 20 GHz are extracted using polynomial§approximation of §noise parameters for intrinsic device. Facilitated by§the correction of§source mismatch in measurement, great agreement between §measured and modeled NF50, as well as acceptably§deviated §optimized fitting factors, results in a minimum NFmin§of 1.64 dB at §10 GHz for an InGaP/GaAs HBT with two 2.3 by 5.6 um2§emitters. §Study of geometry-dependent performance shows promise§of high-§speed and low noise InGaP/GaAs HBTs using narrow,§long, and at §least two-sided base contacts.

Actrice & Polyglot

EWA KASP voor

Video afspelen

Libristo heeft de grootste selectie boeken in vreemde talen. Daarom koop ik mijn boeken hier.

Informatie over het boek

Volledige naam InGaP/GaAs Heterostructure Bipolar Thansistors

Auteur Xiu Xing

Taal

Engels

Bindwijze Boek - Gebonden (paperback)

Datum van uitgifte 2009

Aantal pagina's 108

EAN 9783639100549

ISBN 3639100549

Libristo-code 06819059

Uitgeverij VDM Verlag

Gewicht 168

Afmetingen 152 x 229 x 7

Categorieën

Technologie, techniek, landbouw, industriële processen > Elektronica en communicatietechnologie > Elektronicatechnologie

Geef dit boek vandaag nog cadeau

Dat gaat heel eenvoudig

1 Voeg het boek toe aan je winkelwagentje en selecteer Als cadeau bezorgen 2 Je krijgt van ons per omgaand een voucher 3 Het boek wordt bezorgd op het adres van de ontvanger