Contact
Hoe winkelen bij ons werkt
Bezorging
Winkelgids
MOS System
Engels
205 b
Retourneren binnen 30 dagen
Klanten kochten ook
This detailed and up-to-date guide to modern MOS structures describes important tools, cutting-edge models, novel phenomena and current challenges in measuring and improving the control of future MOS systems for transistor channels. Building up from basic electrostatics, it introduces the ideal MOS system, physical and electrical properties of high-k oxides, their dielectric constants, and energy offsets to semiconductors and metals, before moving on to electrical and physical characterization methods for high-k dielectric materials. Finally, real MOS systems are introduced: high-k dielectrics and interlayers, the influence of phonon dynamics, interface states and bulk traps, effective metal work functions, gate leakage phenomena and high mobility channel materials. Abstract concepts are supported by practical examples and critical comparison, encouraging an intuitive understanding of the principles at work, and presented alongside recent theoretical and experimental results, making this the ideal companion for researchers, graduate students and industrial development engineers working in nanoelectronics.
Informatie over het boek
Engels
Geef dit boek vandaag nog cadeau
Dat gaat heel eenvoudig
1 Voeg het boek toe aan je winkelwagentje en selecteer Als cadeau bezorgen 2 Je krijgt van ons per omgaand een voucher 3 Het boek wordt bezorgd op het adres van de ontvangerDit vind je misschien ook interessant
/
Gebonden (paperback)
14.79
€
Hoi! Ik ben Libroamiko, je boekadviseur.
Hoe kan ik je helpen?