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Die in multikristallinem (mc)-Silizium häufig vorkommenden metallischen Verunreinigungen haben in n-dotiertem Si einen weniger schädlichen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften als dies in p-Typ Si der Fall ist. Dies eröffnet die Möglichkeit, mit diesem Material Solarzellen höheren Wirkungsgrades herzustellen, als dies mit dem bisher in der industriellen Produktion eingesetzten p-Typ mc-Si machbar ist. Deshalb wird hier eine detaillierte Studie der Eigenschaften von blockgegossenem n-Typ mc-Si vorgestellt. Zur Entwicklung eines Solarzellprozesses für n-Typ mc-Si wird zum einen die Emitterdiffusion mittels BBr3 optimiert. Zum anderen wird die Oberflächenpassivierung des Emitters mit thermischem SiO2, mit PECVD SiN und - als neue Möglichkeit - mit SiC untersucht. Mit dem neuentwickelten Prozess wurden vielversprechende Solarzellenwirkungsgrade erzielt. Simulationen zeigen, das angesichts der sehr guten elektronischen Qualität des mc n-Typ Si bei weiterer Optimierung des Solarzellprozesses noch deutlich höhere Wirkungsgrade realisierbar sind.
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